FQP17P06

Symbol Micros: TFQP17p06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 120 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP17P06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2079
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP17P06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7826
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP17P06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8077
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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