FQP20N06L
Symbol Micros:
TFQP20n06l
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
Max. Drainstrom: | 21A |
Maximaler Leistungsverlust: | 53W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQP20N06L RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9387 | 0,5896 | 0,4623 | 0,4363 | 0,4080 |
Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
Max. Drainstrom: | 21A |
Maximaler Leistungsverlust: | 53W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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