FQP20N06L

Symbol Micros: TFQP20n06l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQP20N06L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9387 0,5896 0,4623 0,4363 0,4080
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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