FQP27P06

Symbol Micros: TFQP27p06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Max. Drainstrom: 27A
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP27P06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,8863 2,2540 1,9320 1,8900 1,8620
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Max. Drainstrom: 27A
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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