FQP27P06

Name: TFQP27p06 TFQP27p06
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFQP27p06
Price: 1.8706 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQP27p06

Gehäuse: TO220

Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP27P06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

48 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,8996	2,2644	1,9409	1,8987	1,8706

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP27P06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8706

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP27P06 Gehäuse: TO220

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650 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8706

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP27P06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

880 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8706

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT