FQP32N20C

Symbol Micros: TFQP32n20c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP32N20C Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
890 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,9367
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole