FQP50N06
Symbol Micros:
TFQP50n06
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FQP50N06 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
192 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1695 | 0,7773 | 0,5987 | 0,5662 | 0,5569 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Auf Lager
53 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,6659 | 0,4177 | 0,3272 | 0,3086 | 0,2900 |
Standard-Verpackung: 50/100
Menge (Vielfache 1)
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