FQP6N80C

Name: TFQP6n80c TFQP6n80c
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFQP6n80c
Price: 1.0526 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQP6n80c

Gehäuse: TO220AB

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,5 Ohm; 5,5A; 158W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C RoHS Gehäuse: TO220AB

Auf Lager:

70 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1209	0,8555	0,7091	0,6199	0,5902

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C Gehäuse: TO220AB

Externes Lager:

724 stk.

Anzahl Stück	150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,1153

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT