FQP6N80C

Symbol Micros: TFQP6n80c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,5 Ohm; 5,5A; 158W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C RoHS Gehäuse: TO220AB  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1503 0,8780 0,7278 0,6362 0,6057
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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