FQP7P06

Symbol Micros: TFQP7p06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 410 mOhm; 7A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 410mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 410mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT