FQP9N50C
Symbol Micros:
TFQP9n50c
Gehäuse:
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 800 mOhm; 9A; 135W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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