FQPF20N06L

Symbol Micros: TFQPF20n06l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55 °C ~ 175 °C; OBSOLETE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 15,7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQPF20N06L RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 1,9649 1,6269 1,4320 1,3663 1,3100
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 15,7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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