FQPF27P06
Symbol Micros:
TFQPF27p06
Gehäuse: TO-220F
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 70mOhm; 17A; 47W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 47W |
| Gehäuse: | TO-220F |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQPF27P06
Gehäuse: TO-220F
Externes Lager:
305 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9115 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQPF27P06
Gehäuse: TO-220F
Externes Lager:
370 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9598 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 47W |
| Gehäuse: | TO-220F |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole