FQPF6N80C
Symbol Micros:
TFQPF6n80c
Gehäuse:
N-MOSFET 5.5A 800V 51W 2.5Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 51W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 51W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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