FQPF6N90C

Symbol Micros: TFQPF6n90c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2,3 Ohm; 6A; 56W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF6N90C RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
187 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,1817 1,6746 1,4246 1,3939 1,3632
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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