FQPF85N06
Symbol Micros:
TFQPF85n06
Gehäuse: TO220AB
N-Channel 60 V 53A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
| Max. Drainstrom: | 53A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
| Max. Drainstrom: | 53A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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