FQPF8N80C

Symbol Micros: TFQPF8n80c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,55 Ohm; 8A; 59W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,55Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF8N80C RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2168 1,8575 1,6532 1,5241 1,4771
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,55Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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