FQPF8N80C

Symbol Micros: TFQPF8n80c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,55 Ohm; 8A; 59W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,55Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF8N80C RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2689 1,7996 1,6274 1,5401 1,5118
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 1,55Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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