FQPF8N80C

Symbol Micros: TFQPF8n80c

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,55 Ohm; 8A; 59W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,55Ohm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	59W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-08-08

Anzahl Stück: 50

Widerstand im offenen Kanal:	1,55Ohm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	59W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT