FQT4N20LTF

Symbol Micros: TFQT4n20ltf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,4 Ohm; 850mA; 2,2 W; -55 °C ~ 150 °C; FQT4N20LTF-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 850mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FQT4N20LTF-TP RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6106 0,3804 0,3053 0,2748 0,2654
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 850mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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