FQT4N20LTF

Symbol Micros: TFQT4n20ltf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,4 Ohm; 850mA; 2,2 W; -55 °C ~ 150 °C; FQT4N20LTF-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 850mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FQT4N20LTF-TP RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6132 0,3821 0,3066 0,2760 0,2665
Standard-Verpackung:
150
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQT4N20LTF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2665
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 850mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD