FQT4N20LTF
Symbol Micros:
TFQT4n20ltf
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,4 Ohm; 850mA; 2,2 W; -55 °C ~ 150 °C; FQT4N20LTF-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,4Ohm |
Max. Drainstrom: | 850mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer: FQT4N20LTF-TP RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 40+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6132 | 0,3821 | 0,3066 | 0,2760 | 0,2665 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQT4N20LTF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2665 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,4Ohm |
Max. Drainstrom: | 850mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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