FQT5P10TF

Symbol Micros: TFQT5p10tf

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 1,05 Ohm; 1A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-VB RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5444	0,3440	0,2688	0,2437	0,2369

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-TP RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	40+	150+	600+
Nettopreis (EUR)	0,5581	0,3371	0,2642	0,2369	0,2235

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD