FQT5P10TF

Symbol Micros: TFQT5p10tf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 1,05 Ohm; 1A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-VB RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5637 0,3561 0,2783 0,2524 0,2453
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-TP RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,5802 0,3632 0,2901 0,2594 0,2524
Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD