FQT5P10TF
Symbol Micros:
TFQT5p10tf
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 1,05 Ohm; 1A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: VBsemi
Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-VB RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5637 | 0,3561 | 0,2783 | 0,2524 | 0,2453 |
Hersteller: TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-TP RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 40+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5802 | 0,3632 | 0,2901 | 0,2594 | 0,2524 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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