FQT5P10TF

Symbol Micros: TFQT5p10tf

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 1,05 Ohm; 1A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-VB RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5602	0,3540	0,2766	0,2508	0,2438

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-TP RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	40+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	0,5766	0,3610	0,2883	0,2578	0,2508

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD