FQU11P06TU
Symbol Micros:
TFQU11p06tu
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 185 mOhm; 9,4A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
Max. Drainstrom: | 9,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 38W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQU11P06TU RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,9665 | 0,6389 | 0,5281 | 0,4833 | 0,4597 |
Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
Max. Drainstrom: | 9,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 38W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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