FQU11P06TU

Symbol Micros: TFQU11p06tu

Gehäuse: TO251 (IPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 185 mOhm; 9,4A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	185mOhm
Max. Drainstrom:	9,4A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQU11P06TU RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	70+	280+
Nettopreis (EUR)	0,9645	0,6375	0,5270	0,4823	0,4587

Widerstand im offenen Kanal:	185mOhm
Max. Drainstrom:	9,4A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT