FQU17P06TU
Symbol Micros:
TFQU17p06tu
Gehäuse: IPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 135 mOhm; 12A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQU17P06TU RoHS
Gehäuse: IPAK
Auf Lager:
70 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8156 | 0,6052 | 0,4468 | 0,3853 | 0,3546 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQU17P06TU RoHS
Gehäuse: IPAK
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 90+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8156 | 0,5106 | 0,4232 | 0,3782 | 0,3546 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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