FQU17P06TU

Symbol Micros: TFQU17p06tu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 135 mOhm; 12A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQU17P06TU RoHS Gehäuse: IPAK  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,7905 0,5866 0,4331 0,3735 0,3437
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Standard-Verpackung:
70
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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