FQU2N60CTU

Symbol Micros: TFQU2n60ctu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 1,9A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQU2N60CTU RoHS Gehäuse: IPAK  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,7099 0,5260 0,3892 0,3349 0,3090
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Standard-Verpackung:
70/3570
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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