FZT651QTA

Symbol Micros: TFZT651QTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-3
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FZT651QTC;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-3
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-3
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN