FZT651QTA

Symbol Micros: TFZT651QTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-3
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Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FZT651QTC;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-3
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651QTA Gehäuse: SOT223-3  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1803
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-3
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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