FZT651TA

Symbol Micros: TFZT651ta

Gehäuse: SOT223

Transistor GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223

Parameter

Verlustleistung:	3W
Grenzfrequenz:	175MHz
Stromverstärkungsfaktor:	300
Hersteller:	DIODES
Gehäuse:	SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

830 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4201	0,2319	0,1823	0,1690	0,1619

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

271000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1619

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

215000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1619

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

100000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1619

Verlustleistung:	3W
Grenzfrequenz:	175MHz
Stromverstärkungsfaktor:	300
Hersteller:	DIODES
Gehäuse:	SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN