FZT651TA

Symbol Micros: TFZT651ta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3741 0,2065 0,1624 0,1504 0,1442
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1442
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole