FZT651TA

Symbol Micros: TFZT651ta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4282 0,2363 0,1851 0,1713 0,1643
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1643
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT651TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
94759 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1643
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 175MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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