FZT751TA

Symbol Micros: TFZT751ta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP