FZT789AQTA

Symbol Micros: TFZT789AQTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parameter
Verlustleistung: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP