FZT851TA

Symbol Micros: TFZT851TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
Transistor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 3W
Gehäuse: SOT223-4
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT851TA RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1060 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5734 0,3632 0,2856 0,2604 0,2490
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 3W
Gehäuse: SOT223-4
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN