FZT851TA

Symbol Micros: TFZT851TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
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Transistor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-4
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT851TA RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1170 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7043 0,4469 0,3533 0,3206 0,3065
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT851TA Gehäuse: SOT223-4  
Externes Lager:
121000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3065
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT851TA Gehäuse: SOT223-4  
Externes Lager:
297000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3065
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-4
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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