FZT851TA

Symbol Micros: TFZT851TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
Transistor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 300; 60V; 7V; 130MHz; 6A; 3W; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-4
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FZT851TA RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1060 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7081 0,4493 0,3552 0,3223 0,3082
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 3W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT223-4
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN