G01N20LE Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG01N20LE
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N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9, SOT-23-3L FDN86246-D; G2003A GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 720mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT-23-3L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 720mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT-23-3L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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