G01N20RE
Symbol Micros:
TG01N20RE GO
Gehäuse: TO92
MOSFET-Transistor; TO-92; N-Channel; YES ESD; 200V; 1,7A; 3W; 1,8 V; 0,58 ?; 0,62 ?
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 720mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 720mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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