G02P06 Goford Semiconductor
Symbol Micros:
TG02P06
Gehäuse: SOT-23
P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2; SOT-23 BSS84; G09P02L SOT-23-3L GOFORD;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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