G06N10 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG06N10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3; TO-252 IRFR120N; IRLR120N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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