G07P04S Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG07P04S
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP-8
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP-8
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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