G08P06D3 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG08P06D3
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P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3; DFN3*3-8L NTTFS5116PLTAG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: DFN3x3-8L
Hersteller: Goford
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: DFN3x3-8L
Hersteller: Goford
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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