G09P02L Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG09P02L
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P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3; SOT-23-3L BSS84; TG02P06 SOT-23 GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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