G1003A Goford Semiconductor
Symbol Micros:
TG1003A
Gehäuse:
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2 AOSS62934; G1003A GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
Gehäuse: | SOT-23-3L |
Hersteller: | GOFORD |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
Gehäuse: | SOT-23-3L |
Hersteller: | GOFORD |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole