G1006LE Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG1006LE
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N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1 AOSS62934; G1003A GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT-23-3L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT-23-3L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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