G10N03S Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG10N03S
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N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M AO4476A; FDS8884;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 2,23W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 2,23W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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