G110N06T Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG110N06T
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N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.; TO-220 TG110N06T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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