G12P04K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG12P04K
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P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45; TO-252 DMP4025LK3; AOD407;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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