G12P10K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG12P10K
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P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX); TO-252-3 ZXMP10A18K; FQD8P10TM_F085; G12P10KE GOFORD
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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