G15N06K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG15N06K
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD; TO-252 IPD220N06L3G; IRLR2905;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole