G16P03D3 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG16P03D3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18; DFN3*3-8L AONR21307;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: DFN3x3-8L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: DFN3x3-8L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole