G16P03S Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG16P03S
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P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18; SOP-8 IRF9317; AOSP21307;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP-8
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP-8
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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