G18P03D3 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG18P03D3
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P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15 AONS21357;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DFN3x3-8L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DFN3x3-8L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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