G2014 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG2014
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N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M DMN2011UFDF; AON2406;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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