G20N03D2 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG20N03D2
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N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M; DFN2*2-6L NTLJS5D0N03CTAG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: DFN2x2-6L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: DFN2x2-6L
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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