G20N03K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG20N03K
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N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M; TO-252 FDD6630A; FDD6N20TM;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 24mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 24mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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