G20N06D52 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG20N06D52
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N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M DMNH6021SPDW; Si7972DP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: DFN5x6 Dual
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: DFN5x6 Dual
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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