G20P08K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG20P08K
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P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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