G20P10KE Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG20P10KE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-; TO-252 IPD11DP10NMATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole