G2R1000MT17D

Symbol Micros: TG2R1000MT17D
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1700 V; 25V; 1,2 Ohm; 5A; 44W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: TO-247-3
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 1700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NAVITAS SEMICONDUCTOR Hersteller-Teilenummer: G2R1000MT17D Gehäuse:    
Externes Lager:
480 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7906
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: TO-247-3
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 1700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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