G2R1000MT17J

Symbol Micros: TG2R1000MT17J
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N-Channel-SiCFET-MOSFET-Transistor; 1700 V; 20V; 1,2 Ohm; 3A; 54W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO-263-7
Hersteller: GeneSiC
Max. Drain-Source Spannung: 1700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NAVITAS SEMICONDUCTOR Hersteller-Teilenummer: G2R1000MT17J Gehäuse:    
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,3808
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO-263-7
Hersteller: GeneSiC
Max. Drain-Source Spannung: 1700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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