G3404LL Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG3404LL
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N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M; SOT-23-6 FDC645N; FDC655BN;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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